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100%EAS保證
綠色設(shè)備可用*超低柵極電荷優(yōu)異的CdV/dt效應(yīng)衰減先進(jìn)的高電池密度溝槽技術(shù)。
描述
AGM310AP1是高單元密度溝槽N溝道MOSFET,它提供了同步降壓轉(zhuǎn)換器的應(yīng)用最優(yōu)秀的RDSON和柵極電荷。
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