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100%EAS保證綠色設(shè)備可用*超低柵極電荷優(yōu)異的CdV/dt效應(yīng)下降
先進(jìn)的高電池密度溝槽技術(shù)
描述
AGM308AP是高電池密度槽溝式N-溝道MOSFET,它提供適用于大多數(shù)同步降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用的優(yōu)秀RDSON和柵極電荷。
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