- 其他芯片方案 英集芯ip5516集成mcu的TWS藍(lán)牙耳機(jī)充電倉(cāng)soc充電芯片
- IP5516可實(shí)現(xiàn)TWS對(duì)耳獨(dú)立入倉(cāng)檢測(cè),檢測(cè)到耳機(jī)入倉(cāng)后自動(dòng)進(jìn)入耳機(jī)充電模式,耳機(jī)充滿后自動(dòng)進(jìn)入休眠狀態(tài),靜態(tài)電流最低可降至30uA??伸`活定制耳機(jī)充滿判飽電流,充滿電流檢測(cè)精度高達(dá)1mA。...
2023-09-09 查看(759)
- 其他芯片方案 英集芯IP2610 32V輸入耐壓過(guò)壓保護(hù)ic芯片
- IP2610 是一款具有輸入過(guò)壓保護(hù)集成 IC。IP2610 的輸入耐壓達(dá) 32V;檢測(cè)到輸入電壓大于 OVP 保護(hù)聞值后,能快速關(guān)閉內(nèi)部集成的功率管防止輸入高壓損壞輸出上的設(shè)備;IP2610 集成有過(guò)溫保護(hù),當(dāng)檢測(cè)到芯片內(nèi)部溫度過(guò)高時(shí),也會(huì)關(guān)斷功率管輸出。...
2023-08-15 查看(1064)
- 其他芯片方案 芯控源AGM6014A高單元密度溝槽式N溝道MOSFET
- AGM6014A是高單元密度溝槽式N溝道MOSFET可為大多數(shù)同步降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用提供excellentRDSON和柵極電荷。...
2023-08-12 查看(714)
- 其他芯片方案 芯控源AGM12T05A高單元密度溝槽N溝道MOSFET
- AGM12T05A是高單元密度溝槽N溝道MOSFET,它提供了同步降壓轉(zhuǎn)換器的應(yīng)用最excellentRDSON和柵極電荷。...
2023-08-12 查看(918)
- 其他芯片方案 芯控源AGM405Q高單元密度溝槽N溝道MOSFET
- AGM405O是高單元密度溝槽N溝道MOSFET,它提供了同步降壓轉(zhuǎn)換器的應(yīng)用最優(yōu)秀的RDSON和柵極電荷。綠色設(shè)備可用超低柵電荷,優(yōu)異的CdV/dt效應(yīng)下降,先進(jìn)的高電池密度溝槽技術(shù)。...
2023-08-12 查看(706)
- 其他芯片方案 芯控源AGM303AP低電阻封裝溝槽MOSFET_聚泉鑫
- 先進(jìn)高電池密度溝槽技術(shù)低RDs (oN),最大限度地減少導(dǎo)電損耗低柵極電荷,實(shí)現(xiàn)快速開(kāi)關(guān)低熱阻。應(yīng)用:兆字節(jié)/VGAVcore,SMPS第二同步整流器,PolyOne公司應(yīng)用程序,無(wú)刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。...
2023-08-12 查看(1026)
- 其他芯片方案 芯控源AGM405AP1是高單元密度溝槽N溝道MOSFET
- AGM405AP1是高單元密度溝槽N溝道MOSFET它提供了同步降壓轉(zhuǎn)換器的應(yīng)用最優(yōu)秀的RDSON和柵極電荷。...
2023-08-11 查看(924)
- 其他芯片方案 芯控源AGM1010A2高電池密度槽溝式N-溝道MOSFET
- AGM1010A2是高電池密度槽溝式N-溝道MOSFET,它提供適用于大多數(shù)同步降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用的優(yōu)秀RD SON和柵極電荷。...
2023-08-11 查看(1111)
- 其他芯片方案 芯控源AGM310AP1溝槽N溝道MOSFET_聚泉鑫
- 100%EAS保證綠色設(shè)備可用*超低柵極電荷優(yōu)異的CdV/dt效應(yīng)衰減先進(jìn)的高電池密度溝槽技術(shù)。AGM310AP1是高單元密度溝槽N溝道MOSFET,它提供了同步降壓轉(zhuǎn)換器的應(yīng)用最優(yōu)秀的RDSON和柵極電荷。...
2023-08-11 查看(1221)