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英諾賽科INN100L12氮化鎵pd20w快充方案充電器參考設計
由于近期蘋果、三星等手機廠商接連倡導“為地球減負”的提議，宣布在用戶購買手機時取消標配充電器。這一舉措實實在在刺激了第三方快充充電器市場。為此，英諾賽科推出了一款氮化鎵pd20W快充方案，可以同時滿足蘋果、三星、小米、華為、OPPO等手機用戶的快充需求。
英諾賽科近期推出的這款氮化鎵pd20w快充方案，是基于 英諾賽科低壓InnoGaN器件INN100L12設計，并且是非常特殊地用在了次級同步整流。
英諾賽科INN100L12是一款已經(jīng)量產(chǎn)商用的GaN同步整流管，為降低適配器次級側(cè)同步整流驅(qū)動損耗，提高工作頻率，帶來了新的選擇。除了低壓氮化鎵外，英諾賽科650V高壓氮化鎵FET也早就已經(jīng)量產(chǎn)，并在眾多產(chǎn)品中有著廣泛應用，英諾賽科是為數(shù)不多的幾家能夠提供氮化鎵器件的廠商。
英諾賽科氮化鎵pd20w快充方案參考設計，初級采用兩顆電解電容濾波，次級采用固態(tài)電容，680μF16V，永銘VPX系列，協(xié)議小板垂直焊接。
參考設計左側(cè)是輸出的同步整流電路，南芯SC3503同步整流控制器芯片右側(cè)為英諾賽科 INN100L12，僅為同步整流控制器2/3面積；同時初級控制器也是來自南芯，型號SC3001B。
20W氮化鎵參考設計寬約22mm，高約20mm；和蘋果pd20w充電器對比，僅約為其一半體積大小，非常精巧。
這款氮化鎵pd20w快充方案充電器的次級同步整流管采用英諾賽科INN100L12，100V耐壓的增強型GaN開關管。氮化鎵器件支持超高開關頻率，超低導阻，無反向恢復損耗，快速且可控制的上升和下降時間，采用超薄和高可靠性的倒裝LGA封裝，同時具有開爾文采樣源極，可減少寄生參數(shù)，獲得更精準的控制，提高效率。LGA封裝大面積的源極與漏極有助于導熱，配合PCB導熱設計，可做到無需輔助散熱。相比傳統(tǒng)Si MOS，均可降低驅(qū)動損耗，和反向恢復損耗，提高工作頻率，提升功率密度，是傳統(tǒng)Si MOS的理想替代品。聚泉鑫科技代理英諾賽科氮化鎵器件，并且提供氮化鎵快充方案，如氮化鎵pd20w快充方案設計及相關技術支持。
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