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英諾賽科30W Gan快充方案基于InnoGaN系列第二代產(chǎn)品INN650DA04打造,具備高頻高效、極低損耗、快速主動(dòng)散熱等特點(diǎn),能夠做到體積小、成本低并且效率提升9%
(一)英諾賽科30W Gan快充方案效率提升9%,穩(wěn)定性更強(qiáng)
基于英諾賽科高頻高效的特性,30W氮化鎵方案效率得到了質(zhì)的飛躍,與市面上主流的Si MOS方案相比,在90V輸入條件下效率可提升9%。不僅達(dá)到了節(jié)能效果,還可以減小損耗,大大降低外殼溫升,安全性更高、穩(wěn)定性更強(qiáng)。
(二)英諾賽科30W Gan快充方案極簡設(shè)計(jì),性價(jià)比更高
英諾賽科30W Gan快充方案快充的高頻特性,在實(shí)現(xiàn)高效率和小尺寸方面,明顯優(yōu)于Si MOS。由于GaN的效率足夠高,可以節(jié)省熱片設(shè)計(jì),從而實(shí)現(xiàn)小尺寸高效率的緊湊型適配器設(shè)計(jì),通過更好地控制內(nèi)部溫升,以及GaN相對Si更強(qiáng)的抗高溫特性,搭配簡潔的設(shè)計(jì)和布局,大大降低了系統(tǒng)成本與加工成本。
英諾賽科不但擁有自己的8英寸增強(qiáng)型硅基氮化鎵功率器件量產(chǎn)線,而且有及先進(jìn)的研發(fā)品控分析能力,使得InnoGaN系列的整體性能、成本、產(chǎn)能均得到很好的把控。此次利用GaN氮化鎵技術(shù)重點(diǎn)打造高頻高效、高性價(jià)比的30W Gan快充方案將再次引爆今年的快充充電器市場。
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