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英諾賽科20w氮化鎵方案PD快充參考設計介紹

2023-03-03 09:28      20w氮化鎵方案   PD快充參考設計    瀏覽次數(shù):(

英諾賽科20w氮化鎵方案PD快充參考設計介紹:


(1)英諾賽科20w氮化鎵方案PD快充參考設計初級采用兩顆電解電容濾波,次級采用固態(tài)電容,680μF16V,永銘VPX系列,協(xié)議小板垂直焊接。

 

 

(2)英諾賽科20w氮化鎵方案PD快充參考設計左側是輸出的同步整流電路,南芯SC3503同步整流控制器芯片右側為英諾賽科 INN100L12,僅為同步整流控制器2/3面積;同時初級控制器也是來自南芯,型號SC3001B。

 

(3)20w氮化鎵方案PD快充寬約22mm。

這套20W氮化鎵參考設計高約20mm。

和蘋果20W PD適配器對比,約為一半體積。


基于英諾賽科650V氮化鎵GaN功率器件INN650DA04設計的20W PD快充方案PCBA

  英諾賽科INN650DA04采用1.9*2.9mm FCLGA倒裝封裝,相比DFN5*6封裝的同步整流管,不僅體積優(yōu)勢明顯,工作頻率更高,其優(yōu)化的走線更加方便高頻大電流走線。適用于同步整流,數(shù)字功放,包絡跟蹤供電和高頻DC-DC轉換器。相比傳統(tǒng)Si MOS,均可降低驅動損耗,和反向恢復損耗,提高工作頻率,提升功率密度,是傳統(tǒng)Si MOS的理想替代品。


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